開關(guān)電源輻射騷擾傳導(dǎo)騷擾?。ǘ?/h1>

日期：2025-06-21 01:11

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摘要：3 開關(guān)電源的輻射騷擾 3.1 輻射騷擾的空間傳輸 1. 遠(yuǎn)場和近場 電磁能量以場的形式向四周傳播，就形成了輻射騷擾，場可以分為近場、和遠(yuǎn)場，近場又稱為感應(yīng)場，它的性質(zhì)與場源有密切的關(guān)系，如果場源是高電壓小電流的源，則近場主要是電場，如果場源是低壓大電流，則場源主要是磁場。無論近場是磁場或是電場，當(dāng)離場源的距離大于λ/2π時(shí)，均變成遠(yuǎn)場，又稱為輻射場。 由于開關(guān)電源工作在高電壓，大電流的狀態(tài)下，近場即有電場，又有磁場。 2. 騷擾的輻射方式 ● 單點(diǎn)輻射，主要模擬各相同性的...

3 開關(guān)電源的輻射騷擾

      3.1 輻射騷擾的空間傳輸

1. 遠(yuǎn)場和近場

           電磁能量以場的形式向四周傳播，就形成了輻射騷擾，場可以分為近場、和遠(yuǎn)場，近場又稱為感應(yīng)場，它的性質(zhì)與場源有密切的關(guān)系，如果場源是高電壓小電流的源，則近場主要是電場，如果場源是低壓大電流，則場源主要是磁場。無論近場是磁場或是電場，當(dāng)離場源的距離大于λ/2π時(shí)，均變成遠(yuǎn)場，又稱為輻射場。

         由于開關(guān)電源工作在高電壓，大電流的狀態(tài)下，近場即有電場，又有磁場。

2. 騷擾的輻射方式

● 單點(diǎn)輻射，主要模擬各相同性的較小的輻射源，輻射的強(qiáng)度可表示為：



式中，P 表示發(fā)射的功率，r 表示離發(fā)射源的距離?？梢?，單點(diǎn)輻射強(qiáng)度與距離成反比，與發(fā)射源的功率的平方根成正比。

● 平行雙線環(huán)路的輻射

主要模擬差模電流回路的輻射源，其輻射強(qiáng)度可以表示為：



        式中 A 為差模電流所包圍的面積，I 是差模電流的大小，r 是離輻射源的距離，λ是波長?？梢姴钅］椛鋸?qiáng)度與差模電流的大小和差模電流所包圍的面積成正比，與距離成反比，與頻率的平方成正比。

         因此應(yīng)在高頻噪聲源處加高頻去耦電容，以免高頻噪聲流入電源回路中。

● 單導(dǎo)線的輻射

        單導(dǎo)線的輻射公式可以用來估算共模電流產(chǎn)生的輻射的大?。?/span>



        式中，I 是共模電流的大小，r 是到共模電流源的距離， l 是導(dǎo)線的長度，λ是波長。

3. 共模電流輻射

        兩根相近的導(dǎo)線，如果流過差模電流，則導(dǎo)線產(chǎn)生的電磁場由于方向相反，大小相等而相互抵消，但如果流過共模電流，時(shí)兩根導(dǎo)線產(chǎn)生的電磁場相互疊加。因此大小相同的共模電流所產(chǎn)生的空間輻射要比差模電流產(chǎn)生的空間輻射強(qiáng)度大的多，根據(jù)實(shí)驗(yàn)，兩者的輻射強(qiáng)度相差上千倍。所以，開關(guān)電源的輻射主要是由共模電流引起的。

● 共模電流輻射的基本模式

        共模輻射有兩種驅(qū)動模式，一種是電流驅(qū)動模式，一種是電壓驅(qū)動模式，在開關(guān)電源中，起主要作用的主要是電壓驅(qū)動模式。

● 產(chǎn)生共模輻射的條件

       產(chǎn)生共模輻射的條件有兩個(gè)，一是共模驅(qū)動源，一個(gè)是共模天線。

       任何兩個(gè)金屬體之間存在射頻電位差，就構(gòu)成一副不對稱振子天線，兩個(gè)金屬導(dǎo)體分

別是天線的兩個(gè)極，對于一個(gè)開關(guān)電源來說，如下圖所示：



          圖4 中C7 是開關(guān)管和散熱器之間的耦合電容，散熱器和與開關(guān)管D 極相連接的印制線為天線的兩個(gè)極，在分析時(shí)可以簡化為下圖5：



        圖中，Vs 為騷擾源，對圖4 來說，就是開關(guān)管VT2 的D 極，L1、L2 相當(dāng)于天線的兩個(gè)極，一個(gè)極是與開關(guān)管D 極相連的印制線，另外一個(gè)極是散熱器及與之相連的接地線，C是天線兩極之間的耦合電容，即圖4 中開關(guān)管與散熱器之間的耦合電容。

       共模輻射主要有天線上的共模電流的大小決定，因此，天線兩極 L1、L2 之間的耦合電容越大，輻射功率越大。

       另外，當(dāng)天線的兩個(gè)極的總長度大于λ/20時(shí)，才能向外輻射能量，并且當(dāng)天線的長度與騷擾源的波長滿足下列條件時(shí)，輻射能量才*大。



3.2 開關(guān)電源的輻射源

        要解決和減小開關(guān)電源的電磁輻射，首先要了解開關(guān)電源的輻射源在那兒。對于一個(gè)前級帶有PFC 功率因數(shù)矯正電路的開關(guān)電源來說，輻射騷擾的源主要分布下面幾個(gè)地方（開關(guān)電源中的輻射源例如驅(qū)動等，相對于下面所列的要弱的多，所以可以不與考慮）。

1. PFC 開關(guān)管

2. PFC 升壓二極管

3. DC/DC 開關(guān)管

4. DC/DC 的整流管、續(xù)流管

5. PFC 升壓電感

6. DC/DC 變壓器

● PFC 開關(guān)管和DC/DC 開關(guān)管的輻射原理如上面所述，屬于電壓驅(qū)動模式的驅(qū)動源，升壓電感和變壓器屬于差模騷擾源，主要原因是漏感的存在，導(dǎo)致電磁能量泄露，向外發(fā)射電磁能量。

● PFC 升壓二極管和DC/DC 的整流二極管在反向截止時(shí)，存在反向恢復(fù)電流，如下圖所示：



       圖中所示的是實(shí)際測試的PFC 升壓二極管關(guān)斷瞬間的反向恢復(fù)電流（不加吸收的情況下），在圖4 中，該反向恢復(fù)電流主要通過C6、VD1、VT2 構(gòu)成回路，形成差模輻射，另外，由于由于引線電感的存在，很小一部分的電流會通過散熱器與開關(guān)管VT2 之間的耦合電容C7 向外流，形成共模輻射。

DC/DC 的整流二極管和續(xù)流管的反向恢復(fù)電流會導(dǎo)致二極管的反向電壓出現(xiàn)很高的電壓尖峰，下圖 7 是正激電路的輸出濾波電路。





       圖7 中，TI 是變壓器，VD1、VD2 分別是整流管和續(xù)流管，由于整流管、續(xù)流管在由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止時(shí)有反向恢復(fù)電流，該反向恢復(fù)電流在VD1、VD2 兩端產(chǎn)生比較高的電壓峰值，由于快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電流在幾十nS，所以峰值電壓的頻率較高，其基波頻率在幾十MHz，由于頻率很高，輻射能力很強(qiáng)，下圖8 是整流管和續(xù)流管的電壓波形。





          在上圖7 中，整流管、續(xù)流管固定在散熱器上，散熱器接大地，由于二極管的陰極與管殼的散熱板直接相連，管殼的散熱板與散熱器之間就形成了耦合電容，整流管、續(xù)流管在截止時(shí)產(chǎn)生的高壓尖峰就通過耦合電容流動，產(chǎn)生共模輻射，輸出線和地分別是天線的兩個(gè)極。

        ●開關(guān)電源其他的輻射源如印制線與機(jī)殼之間分布電容引起的共模輻射、內(nèi)部電路工作時(shí)產(chǎn)生的差模輻射等，與前面的幾個(gè)輻射源相比要小得多。

3.3 輻射騷擾的解決措施

        上面分析了輻射騷擾產(chǎn)生的原因和開關(guān)電源的輻射源，再解決開關(guān)電源的輻射問題就比較容易了。

3.3.1 開關(guān)管發(fā)射源引起的輻射發(fā)射

       上面所介紹的輸入端口的傳導(dǎo)騷擾，是通過輸入線向外發(fā)射的，同時(shí)，輸入線又是一個(gè)天線，共模電流在流過輸入線的時(shí)候，就會向空間發(fā)射電磁能量，產(chǎn)生輻射騷擾，因此對于上面解決傳導(dǎo)發(fā)射的措施，在減小了傳導(dǎo)發(fā)射的同時(shí)，也大大減小了輸入端口的輻射發(fā)射。

       對于輻射源 DC/DC 開關(guān)管，也可以采取與PFC 開關(guān)管的相同的措施，來減小驅(qū)動源的電壓幅度，較小輻射發(fā)射的強(qiáng)度。

下面圖 9 是采取在PFC 開關(guān)管散熱器對PFC 輸出地加電容與不加電容輻射強(qiáng)度的對比。



       圖中，前面是加電容的，后面是不加電容的，從兩個(gè)圖中可以看出，在50MHZ 附近，輻射騷擾電平在加了電容以后降低了盡10DB，在120MHZ 到220MHZ 的頻率范圍內(nèi)也降低了10DB 左右。

3.3.2 DC/DC 整流管、續(xù)流管發(fā)射源

      對于 DC/DC 整流管、續(xù)流管發(fā)射源，除了增加吸收，減小二極管兩端的峰值電壓、在二極管的管腳上套飽和磁環(huán)以減小反向恢復(fù)電流外，還可以采取以下措施。

1. 在整流管、續(xù)流管與散熱器的接觸點(diǎn)附近對輸出地接電容，如下圖 10 所示：



        圖中C2 是二極管VD1 和VD2 與散熱器之間的耦合電容，容量一般在幾十PF，C3 是增加的電容，C3 要遠(yuǎn)大于C2，DC/DC 整流管、續(xù)流管上的電壓峰值經(jīng)過C2 與C3 的分壓，幅度大大降低，就可以大大減小向外的輻射。

2. 采用如下圖 11 所示的電路形式。



        在上圖的電路形式中，將輸出濾波電感放在輸出的負(fù)端，VD1、VD2 的輸出直接接在輸出濾波電容的正端，這樣，整流管、續(xù)流管的陰極接固定電平，通過陰極連接的散熱面與散熱器之間的耦合電容向外流動的共模電流就會大大減小，從而大大減小輸出端口的輻射電平。

3.3.3 機(jī)箱屏蔽

        開關(guān)電源的輻射除了上述的輻射源主要通過輸入輸出端口向外輻射以外，電源的控制電路、驅(qū)動、輔助電源、變壓器、電感等直接向空間輻射電磁能量，因此需要采用機(jī)箱進(jìn)行屏蔽，機(jī)箱屏蔽要考慮機(jī)箱的材料、厚度和孔縫對屏蔽效能的影響。

1.吸收損耗

        當(dāng)電磁波進(jìn)入金屬屏蔽體后會產(chǎn)生感應(yīng)電流，變?yōu)闊崮芏牡?，所以電磁波進(jìn)入金屬導(dǎo)體中以指數(shù)的方式很快衰減，傳輸距離很短。

        我們將電磁波衰減到原來 1/e，即0.37 倍時(shí)的距離稱為集膚深度δ

        集膚深度δ與材料的性能和頻率有關(guān)，可用下面的公式表示：



公式中，μ是材料的磁導(dǎo)率，σ是材料的電導(dǎo)率。

2. 反射損耗

        當(dāng)電磁波到達(dá)兩種介質(zhì)表面時(shí)，因阻抗不匹配而發(fā)生反射，所引起的電磁波能量損耗稱為反射損耗。

         輻射騷擾所測試的頻率范圍是 30MHz～1000MHz。如果單純的只考慮30MHz 以上的電磁屏蔽，薄薄一層的導(dǎo)體就可以達(dá)到很高的屏蔽效能，但對于頻率比較低的電場或磁場，就要考慮屏蔽所使用的材料和厚度了。

3. 孔縫對屏蔽的影響

        在實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中，機(jī)箱上總是存在有接線孔、通風(fēng)孔以及機(jī)箱各面之間的連接縫隙，如果機(jī)箱的孔縫尺寸不合理，將使屏蔽效能大大降低，一般來說，孔縫的尺寸應(yīng)小于十分之一到百分之一的波長，才能達(dá)到相應(yīng)的屏蔽效果。如果上限頻率按1000MHz 來考慮，孔縫的尺寸應(yīng)小于：3～0.3cm。由于開關(guān)電源的電磁輻射頻率范圍一般在30MHz 到500MHz 之間，屏蔽的上限頻率可以按500MHz 來考慮。

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